در این طرح، ساختاری بهبود یافته برای سیاست جایگزینی در حافظه نهان به منظور پیشگیری از وقوع آسیب پذیری های سالمندی ناشی از پروتکل های هماهنگی ارائه شده است. روش پیشنهادی بر اساس خروجی های یک مطالعه جامع بر روی دلایل وقوع کاهش حاشیه نویز ایستا سلول های حافظه ایستا با دسترسی تصادفی ارائه شده است. مطالعه جامع مذکور نشان می دهد که توزیع نامتوازن بلوک های داده با حالات هماهنگی متفاوت در بین خطوط حافظه نهان به عنوان یکی از دلایل وقوع کاهش حاشیه نویز در سلول های حافظه نهان به حساب می آید. بر اساس یافته ها، یک سیاست جایگزینی بهبود یافته برای حافظه نهان به منظور ایجاد توازن در توزیع بلوک های داده از نوع تمیز و کثیف بین خطوط مختلف حافظه ارائه شده است. در این راستا، سیاست جایگزینی شبه اخیراً کمتر استفاده شده بازطراحی شده است، به نحوی که در زمان خروج بلوک های داده، حالت هماهنگی بلوک ها و نوع بروز عدم برخورد ناشی از تناقض آدرس نیز لحاظ گردد. نتایج روش پیشنهادی نشان دهنده بهبودی حدود 10 و 11 درصدی میزان تنزل در روند کاهشی حاشیه نویز ایستا در زمان ذخیره سازی و در زمان خواندن در سلول های حافظه نهان می باشد. روش پیشنهادی منجر به سربار ناچیز مساحت و انرژی به همراه کمتر از یک درصد کاهش در نرخ برخورد حافظه نهان می گردد.

مقاله حاضر به بحث پیرامون پدیده ای جدید به نام حافظه نهان (در مقایسه با حافظه آشکار) می پردازد. ابتدا به طور مختصر تاریخچه نظریه های اندیشمندان درباره حافظه نهان مطرح و سپس در نظریه های جدید، به مطالعات زیر آستانه تحریک و آماده سازی تکراری اشاره می گردد. مطالعات مختلف (خصوصا در حوزه آماده سازی تکراری) نشان می دهند که حافظه آشکار و نهان به طور متفاوت از متغیرهای گوناگون تاثیر می پذیرند. در حالی که حافظه آشکار، از متغیرهای سطح پردازش و فاصله زمانی بین رمزگردانی و بازیابی (اثر فراموشی) بیشتر تاثیر می پذیرد، حافظه نهان از این متغیرها کمتر متاثر می شود. از طرف دیگر، در حالی که حافظه نهان از متغیرهای مربوط به شیوه حسی و خلق (که در دو مرحله رمزگردانی و بازیابی دستکاری می شوند) متاثر می شود، حافظه آشکار از این متغیرها تاثیر نمی پذیرد یافته های مربوط به بیماران آمنزیک نیز نشان می دهند که آنچه در این بیماران آسیب می بیند، به حافظه آشکار مربوط می باشد، اما این بیماران در حافظه نهان بدون آسیب باقی می مانند. برای توجیه نظری تمایز دو گانه حافظه آشکار و نهان دو دیدگاه انسانی وجود دارد؛ دیدگاه پردازش، ضمن قایل بودن به یک سیستم واحد و یکپارچه در حافظه، تفاوت موجود را در کیفیت و سطح پردازش این دو نوع حافظه جست وجو می کند دیدگاه چند سیستمی (که اکنون مدارک و شواهد بیشتری و امیدبخش تری برای آن جمع آوری شده است)، بر این باور است که هر یک از این دو نوع حافظه به وسیله سیستم (یا سیستم ها) مستقل و جداگانه ای حمایت که درعین ارتباط با یکدیگر، از اصول و قوانین معینی پیروی می کند.

پردازنده های مدرن که شامل حافظه ی نهان بزرگ است، نسبت به خطاهای گذرا آسیب پذیری بالایی دارد. اهمیت این موضوع باعث شده است تا از روش های کدگذاری برای محافظت در برابر خطا استفاده شود. هزینه ی قابلیت اطمینان باید به نحوی تأمین گردد تا استفاده ی بهینه از انرژی و ناحیه را در پی داشته باشد. در این مقاله روشی برای افزایش اتکاپذیری حافظه ی نهان محافظت نشده در پردازنده ها ارائه شده است. در این مقاله قابلیت اطمینان حافظه ی نهان در پردازنده های مدرن با استفاده از مکانیسم کاهش خطای برچسب کم هزینه مورد مطالعه قرار می گیرد. روش پیشنهادی از تکنیک افزایش فاصله ی همینگ در برچسب بهره برداری می کند. علاوه بر کاهش False Hit به صفر، دارای سربار بسیار پایین نیز هست.

در همه نظریه های شناختی اعتقاد بر این است که سوگیری در فرآیند پردازش اطلاعات، نقش مهمی در ایجاد و تداوم اختلال های هیجانی بازی می کند. در این پژوهش سوگیری های حافظه آشکار و نهان برای اطلاعات دارای بار هیجانی، در افراد مبتلا به افسردگی مورد بررسی قرار گرفته است. جامعه آماری این پژوهش، دانشجویان دانشگاه اراک بوده اند که با به کارگیری پرسشنامه افسردگی بک (1978) و پرسشنامه سلامت عمومی گلدبرگ و هیلر (1979) در دو گروه افراد مبتلا به افسردگی (20 نفر) و افراد عادی (20 نفر) جایگزین شدند. در این پژوهش از چهار نوع کلمه (مرتبط با افسردگی، مرتبط با تهدید اجتماعی، مثبت و خنثی) استفاده شد. برای ارزیابی حافظه آشکار و نهان به ترتیب، از آزمون یادآوری آزاد و تکلیف تکمیل ریشه کلمه استفاده گردید. نتایج به دست آمده گویای آن است که، افراد افسرده سوگیری هماهنگ با خلق را در آزمون یادآوری آزاد نشان داده اند، در حالی که مدرکی دال بر سوگیری هماهنگ با خلق حافظه نهان در افراد مبتلا به افسردگی به دست نیامده است. این یافته ها از دید مبانی نظری و هماهنگی یا بی هماهنگی با نتایج پژوهش های پیش مورد بحث قرار گرفته اند.

یکی از عوامل اصلی تعیین سرعت پردازنده های امروزی نرخ دسترسی آنها به حافظه می باشد. برای بالا بردن این نرخ از حافظه نهان استفاده می شود که سرعت را به مقدار قابل توجهی افزایش می دهد. ولی این سرعت نیز برای سیستم هایی که احتیاج به دسترسی موازی به حافظه دارند جوابگو نمی باشد. در این مقاله سعی شده است یک روش جدید با استفاده از خردکردن حافظه چند قست و دسترسی همزمان به آنها ارایه شود، که تسریع دسترسی به حافظه را به میزان قابل ملاحظه ای افزایش می دهد.

این مقاله به مسأله تأثیر استفاده از حافظه های غیر فرار در سلسله مراتب حافظه نهان برای پردازنده های مراکز داده در عصر سیلیکون تاریک پرداخته است. همان طور که مصرف انرژی به یکی از مباحث مهم عملیات و نگهداری مراکز داده ابری تبدیل شده است، فراهم کنندگان سرویس های ابری به شدت در این زمینه نگران شده اند. تکنولوژی حافظه های غیر فرار نوظهور جایگزینی مناسب برای حافظه های متداول امروزی می باشند. ما در این مقاله از حافظه غیر فرار STT-RAM در مقایسه با حافظه SRAM به عنوان حافظه نهان سطح آخر استفاده می کنیم. تراکم بالا، دسترسی خواندن سریع، توان مصرفی نشتی نزدیک به صفر و غیر فرار بودن باعث می شود حافظه STT-RAM یک فناوری مهم برای حافظه های درون تراشه باشد. در اکثر تحقیقات قبلی که از حافظه های غیر فرار بهره گرفته اند، روش های خاص و مبتنی بر محک های متعارف بررسی شده و در مورد محک های ابری نوظهور تحت عنوان بارهای کاری Scale-out تحلیل کاملی انجام نداده اند. ما در این مقاله با اجرای بارهای کاری Scale-out، تأثیر استفاده از حافظه های غیر فرار در سلسله مراتب حافظه نهان پردازنده های ابری مراکز داده را بررسی می کنیم. نتایج آزمایش روی محکِ CloudSuite نشان می دهد که استفاده از حافظه STT-RAM در مقایسه با حافظه SRAM در حافظه نهان سطح آخر، میزان انرژی مصرفی را حداکثر 59% کاهش می دهد.

با پیشرفت صنعت الکترونیک و پیدایش پردازنده های مدرن، مدل حمله در الگوریتم ها و پروتکل های رمزنگاری نیز تغییر کرد. با وجود پیچیدگی محاسباتی در الگوریتم ها و پروتکل های رمزنگاری، پیاده سازی ها می توانند عاملی برای نشت اطلاعات محرمانه باشند. مهاجم می تواند زمانی حمله کند که قطعات الکترونیکی در حال اجرای عملگرهای رمزنگاری با استفاده از کلید مخفی بر روی داده های حساس هستند. در حین رایانش، نشت اطلاعات در قطعات الکترونیکی وجود دارد که به آن حملات کانال جانبی می گویند. یکی از مهم ترین منابع نشت اطلاعات کانال جانبی، تغییرات زمانی ناشی از اجرای محاسبات است. دسترسی ها به حافظه و وجود انشعاب ها در برنامه، در زمان اجرا هزینه بر هستند، بنابراین پردازنده ها برای کاهش این هزینه، از حافظه نهان و پیشگویی انشعاب استفاده می کنند. متأسفانه این بهینه سازی در زمان اجرا، منجر به ایجاد تغییرات زمانی در اجرای یک برنامه می شود. حافظه نهان در حملات کانال جانبی زمان، چالش برانگیزتر و کاربردی تر است. در این مقاله به مرور انواع حملات حافظه نهان روی پیاده سازی الگوریتم رمز AES خواهیم پرداخت. با پیاده سازی حملات و مقایسه نتایج، ضعف های امنیتی پیاده سازی الگوریتم رمز AES در برابر حملات حافظه نهان را استخراج و مورد مقایسه قرار خواهیم داد.